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BSS52 TO-39封裝NPN達林頓晶體管Solitron Devices

發(fā)布時間:2025-10-14 08:59:41     瀏覽:223

  Solitron Devices BSS52是一款 NPN 達林頓晶體管,專為工業(yè)高增益放大器設(shè)計,具有高電流、低電壓特性,并集成二極管和電阻。它是飛利浦(Philips)的第二來源產(chǎn)品,采用 TO-39 金屬封裝,適用于嚴苛的工業(yè)環(huán)境。

Solitron Devices BSS52 NPN達林頓晶體管

  關(guān)鍵特性

  高電流能力:連續(xù)集電極電流 1A,峰值可達 2A。

  高電壓耐受:

  集電極-發(fā)射極電壓(VCES)80V

  集電極-基極電壓(VCBO)90V

  集成保護:內(nèi)置二極管和電阻,簡化電路設(shè)計。

  高直流增益(hFE):

  典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。

  熱穩(wěn)定性:

  結(jié)溫(Tj)范圍 -65°C 至 +200°C。

  熱阻:結(jié)到環(huán)境(Rth j-a)220K/W,結(jié)到外殼(Rth j-c)35K/W。

  極限參數(shù)

  集電極-基極電壓(VCBO):90V

  集電極-發(fā)射極電壓(VCES):80V

  發(fā)射極-基極電壓(VEBO):5V

  集電極電流(IC):1A(連續(xù)), 2A(峰值)

  功耗(Ptot):0.8W(環(huán)境25°C) / 5.0W(外殼25°C)

  電氣特性(Typical @25°C)

  飽和壓降:

  VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)

  VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)

  開關(guān)性能:

  開啟時間(ton): 1μs(IC=500mA)

  關(guān)斷時間(toff): 5μs(IC=1A)

  截止電流:

  集電極漏電流(ICES): 50nA(VCE=80V)

  封裝尺寸:TO-39封裝,直徑12.7~14.2mm,高度 6.22~6.60mm。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展

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